OTSUKA大塚分光干涉式晶片厚度测量仪SF-3；
即时计测晶片基板的研磨程序，TTV控制中的厚度！
特点：
◆非接触式、非破坏性光学式膜厚检测。
◆光谱解析后设置条件。
◆可进行高速的即时的研磨检测。
◆可穿越保护膜，观景窗等中间层的检测。
◆可解析多层厚度。
◆搭载独自解析引擎（申请中）。
◆采用适合膜厚检测的独自解析演算法（已取得）。
◆可自动进行膜厚分布制图。
规格：
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膜厚测量范围
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0.1 μm～10 μm、15 μm～1000 μm、晶片
10 μm～775 μm*、50 μm～1600 μm*
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重复精度
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0.01%以下
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测量时间
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快200 μsec（5kHZ）
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测量光源
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半导体光源
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测量口径
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小φ6 μm
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WD
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根据10mm以上任意距离而定
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尺寸
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123(W)× 224(D)×128(H)mm（突起特除外）
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