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OTSUKA大塚分光干涉式晶片厚度测量仪SF-3；
即时计测晶片基板的研磨程序，TTV控制中的厚度！
特点：
◆非接触式、非破坏性光学式膜厚检测。
◆光谱解析后设置条件。
◆可进行高速的即时的研磨检测。
◆可穿越保护膜，观景窗等中间层的检测。
◆可解析多层厚度。
◆搭载独自解析引擎（申请中）。
◆采用适合膜厚检测的独自解析演算法（已取得）。
◆可自动进行膜厚分布制图。
规格：
膜厚测量范围
0.1 μm～10 μm、15 μm～1000 μm、晶片
10 μm～775 μm*、50 μm～1600 μm*
重复精度
0.01%以下
测量时间
快200 μsec（5kHZ）
测量光源
半导体光源
测量口径
小φ6 μm
WD
根据10mm以上任意距离而定
尺寸
123(W)× 224(D)×128(H)mm（突起特除外）
询价对象*：
有效期*： 三天内 一周内 两周内 一个月内 三个月内 六个月内
